 新聞中心產(chǎn)品分類 |
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| 公司名稱： |
昆山正耀電子科技有限公司 |
公司類型： |
企業(yè)單位 () |
| 所 在 地： |
江蘇/蘇州市 |
公司規(guī)模： |
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| 注冊(cè)資本： |
未填寫(xiě) |
注冊(cè)年份： |
2006 |
| 資料認(rèn)證： |
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| 經(jīng)營(yíng)范圍： |
汽車主驅(qū)碳化硅模塊，EV電驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET模塊，雙面水冷散熱，氫燃料電動(dòng)汽車碳化硅模塊，全碳化硅SiC模塊，EV電動(dòng)壓縮機(jī)SiC MOSFET模塊，SiC MOSFET Module,Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET分立器件，碳化硅SiC MOSFET模塊，混合SiC-IGBT單管，三電平IGBT模塊，I型三電平SiC模塊，T型三電平SiC模塊,IGBT模塊，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)替代，安森美SiC |
| 銷售的產(chǎn)品： |
汽車主驅(qū)碳化硅模塊，EV電驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET模塊，雙面水冷散熱，氫燃料電動(dòng)汽車碳化硅模塊，EV電動(dòng)壓縮機(jī)SiC MOSFET模塊，全碳化硅SiC模塊，SiC MOSFET Module,Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET分立器件，碳化硅SiC MOSFET模塊，混合SiC-IGBT單管，三電平IGBT模塊，I型三電平SiC模塊，T型三電平SiC模塊,IGBT模塊，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)替代，安森美SiC |
| 采購(gòu)的產(chǎn)品： |
儲(chǔ)能變流器碳化硅MOSFET,儲(chǔ)能PCS Buck-Boost用SiC MOSFET,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三電平SiC-IGBT模塊，IGBT單管，光儲(chǔ)一體IGBT單管，國(guó)產(chǎn)混合IGBT單管，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-I |
| 主營(yíng)行業(yè)： |
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